H5100

R6100
R6101
R6101C
R6300
R6301
R5100
R5101
R5100D
R5300
R5301
R5300D
J5100
J5300
J5110
J5310
J5101
J5301
X2900
X2900P
H3900
R6060
J5060
H5100
| 產(chǎn)品型號(hào) | H5100 | ||||||||||||||||||||
| 容量(TB) | 3.84 | 7.68 | 15.36 | 30.72 | 3.84 | 7.68 | 3.84 | 7.68 | 15.36 | ||||||||||||
| 形態(tài) | U.2 15mm | E1.S 9.5mm | E3.S 7.5mm | ||||||||||||||||||
| 接口 | PCIe 5.0 x 4, NVMe 2.0 | ||||||||||||||||||||
| 128KB順序讀帶寬(MB/s) | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | ||||||||||||
| 128KB順序?qū)憥?MB/s) | 6800 | 9000 | 9500 | 10000 | 5000 | 5500 | 6800 | 9000 | 9500 | ||||||||||||
| 隨機(jī)讀(4KB)KIOPS | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | ||||||||||||
| 隨機(jī)寫(4KB)KIOPS | 330 | 400 | 420 | 450 | 230 | 280 | 330 | 390 | 400 | ||||||||||||
| 4K隨機(jī)讀寫延時(shí)(μs) | 56/8 | 54/8 | 56/8 | 56/8 | 56/8 | 54/8 | 56/8 | 54/8 | 56/8 | ||||||||||||
| 4K順序讀寫延時(shí)(μs) | 7/8 | 7/8 | 7/8 | ||||||||||||||||||
| 典型功耗(W) | 17 | 17 | 19 | 19 | 16 | 17 | |||||||||||||||
| 空閑功耗(W) | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 6 | 5.5 | 5.5 | |||||||||||||||
| 介質(zhì) | 3D eTLC NAND Flash | ||||||||||||||||||||
| 壽命DWPD | 1 | ||||||||||||||||||||
| MTBF | 250萬(wàn)小時(shí) | ||||||||||||||||||||
| UBER | 1 sector per 10^18 bits read | 1 sector per 10^17 bits read | |||||||||||||||||||
| 質(zhì)保 | 5 年 | ||||||||||||||||||||
| 關(guān)鍵特性 | NVMe 2.0、NVMe MI 1.1、OCP 2.5、TCG OPAL 2.0安全規(guī)范、NVMe Sanitize、Secure Boot、熱插拔、在線升級(jí)、帶外升級(jí)、多命名空間、端到端數(shù)據(jù)保護(hù)、掉電數(shù)據(jù)保護(hù)、全路徑數(shù)據(jù)保護(hù)、T10 DIF/DIX、WRR、Flash Raid 2.0、Latency Monitor、DSM、SMART、Telemetry、Device Power Management、原子寫、過溫保護(hù)、通用時(shí)鐘(RefClk)、多種扇區(qū)格式(VSS)、多流、FDP、SGL、CMB、MDTS··· | ||||||||||||||||||||